Все госты и снипы онлайн

Более 10000 документов в открытом доступе, абсолютно бесплатно

ГОСТР 51974-203 -

Этот документ был распознан автоматически. В блоке справа Вы можете найти скан-копию. Мы работаем над ручным распознаванием документов, однако это титанический труд и на него уходит очень много времени. Если Вы хотите помочь нам и ускорить обработку документов, Вы всегда можете сделать это, пожертвовав нам небольшую сумму денег.

Файлы для печати:

Изменение № 1 ГОСГР 52194--2003 Водки н водки особые. Изделия ликероволочные. Упаковка, маркировка, транспортнрование и храненне

Утверждено и введено в действие Приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологин от 17.06.2005 № 162-ст

Дата введения 2006—01—01

жздел 2. Заменить ссылку: ГОСТ Р$.579—209[ на ГОСТ 8.579—2002:

ЛОПОлНИТЬ ссылкой:

«ГОСТР 51974—203 Продукты пишевые. Информация для потребитс- дя. Общие требованиях.

Пункт 3.1. Заменить слова: «по нормативному документу и изготовленные» на «изотовленную.

Пункт 3.2. Второй абзац исключить.

Пункт 32.1. Исречисление 2). Для водок. волок особых и горьких ликероводочных изделий заменить значение: «500-+4.0 мл (см?) на «(500=5.0) мл (см*)»:

последний абзац. Заменить слова: «- по ГОСТ Р 8.579» на э«вместимос- тью более 1000 мл (см*). кроме бутылок вместимостью 1750 мл (см) — по ГОСТ $3.579».

Пункт 3.3. Первый абзац изложить в новой редакции:

(Продолжение см. с. 1%)


{ Продолжение изменения № Тк ГОСГ Р $2194... 2003)

«Бутылки с продукцией укупоривают колпачками типа «Алка» изалю- минисвой фольги по ГОСТ 745, алюминиевыми колпачками с перфорацией римичных иветов, которые должны быть укомплектованы уплот- нительными элементами по ГОСТР 51214, и другими укупорочными срелствами. изготовленными из материалов. разрешенных уполномоченным органом ля контакта с данным вилом продукта и обеспечивающими герметичность укупоривания».

Пункт 3.4. Первый аб ши. Исключить слова: «по 12—24

Пункт 4.1 изложить в новой пелакции:

«4.1 Маркировка продукта в потребительской таре но ГОСТ Р 574 со саслукиними дополнениями:

- массовая концентрация сахара аля ликсроволочных изделий (за ис- ктючением горьких настоек, слабогралусных горьких настоек и бальза- MOB)».

Пункт 4.2 исключить.

Пункт 4.4 (исстои абзан). Исключить слиницы физическои величины: л (дм%.

Пункт 5.2 после слов «титановых бочках |||» лополиить словами: «а также в бочках. автоцистернах и контейнерах фирмы-получатсля».

Иункг 5.3. Заменить слова: «в сухих. не имеющих посторонних запа- XOB, NOMCLUCHHAX® HA «B NOMCLUCHHAX C OTHOCHTCIBHOH BIZKHOCTLIO BO3- духа не выше 89 “2 ».

Библиография. Исключить позинии: [2 FS].

«НУС № 9 2003 г.)


ГОСТР 57441—2017

Содержание

1 Область применения. еее еее. 1 2 Термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров .............. 1

Алфавитный указатель терминов на русском языке. еее. 9


ГОСТР 57441—2017

Введение

Установленные в настоящем стандарте термины расположены в систематизированном порядке, отражающем систему понятий в области электрических параметров интегральных микросхем.

Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин.

Для каждого установленного термина приведено отечественное буквенное обозначение элоктрического параметра и его определение (в скобках приведено международное буквенное обозначение параметра).

Приведенные определения можно. при необходимости. изменять. вводя в них производные признаки. раскрывая значения используемых в нихтерминов. указывая объекты, входящие в объем определяемого понятия. Изменения не должны нарушать объем и содержание понятий, определенных в настоящем стандарте.

В случаях. когда втермине содержатся все необходимые и достаточные признаки понятия, определение не приводится и вместо него ставится прочерк.

В пределах одного документа рекомендуется использовать одну систему обозначений — отечес- твенную или международную.


ГОСТР 57441—2017

НАЦИОНАЛЬНЫЙ СТАНДАРТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ Термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров

integrated circuits Terms definitions and letter symbols of eiectrical parameters

Дата введения — 2017—08—01

1 Область применения

Настоящий стандарт устанавливает термины. определения и буквенные обозначения электричес- ких параметров интегральных микросхем, включая гибридные микросхемы, многокристальные модупии микросборки (далес — микросхемы).

Термины и буквенные обозначения, установленные настоящим стандартом. рекомендуются для применения во всех видах документации и литературы. входящих в сферу действия работ по стандартизации и (или) использующих результаты этих работ.

2 Термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров



Параметры напряжения

1 напряжение питания; И, (Усс): Напряжение /-го источника питания, обеспечивающего работу микросхемы в заданном режиме.

Примечание — ‚ — порядковый номер источника питания.

2 напряжение питания в режиме хранения; И „> нения информации.

3 напряжение питания в режиме ожидания; ЦИ, „„ (Исси,): — 4 входное напряжение; Ц, (М): —

5 входное напряжение низкого уровня; И схемы.

6 входное напряжение высокого уровня; М,, „(И„): Напряжение высокого уровня на входе микросхемы.

7 входное пороговое напряжение; И, „, (Их): Наибольшее (наименьшее) напряжение на входе. при котором не происходит переход микросхемы из одного устойчивого состояния в другов.

8 входное пороговое напряжение низкого уровня; У. „„. „(Ит,): Наибольшее напряжение низкого уровня на входе, при котором не происходит переход микросхемы из одного устойчивого состояния в другое.

Э входное пороговое напряжение высокого уровня; Ц. в, ‚ (Или): Наименьшев напряжение высокого уровня на входе, при котором не происходит переход микросхемы из одного устойчивого состояния в другое.

10 wanpamenne curnanacrmpanun; U_(U,,,): Напряжение на выводе «Стирание», обеспечивающее удаление информации.

11 напряжение сигнала программирования; U,, (U,,): Напряжение на выводе «Программирова-

нива», обеспечивающее изменение информации.

(Усс): Напряжение питания, необходимое для хра-

(Ц): Напряжение низкого уровня на входе микро-

ок. м

Издание официальное


ГОСТР 57441—2017

12 напряжение срабатывания: Ц в (Итр): Наименьшее постоянное напряжение на входе. при котором происходит переключение выхода микросхемы из одного устойчивого состояния в другое.

13 напряжение отпускания; Ш, (И Наибольшее постоянное напряжение на входе. при котором происходит переключение выхода микросхемы из одного устойчивого состояния в другое.

14 напряжение гистерезиса; И, Разность между напряжением срабатывания и напряжением отпускания.

15 напряжение смещения нуля; И. (Ию): Постоянное напряжение. которое должно быть приложено каходу. чтобы выходное напряжение было равно нулю или другому заданному значению.

16 входное напряжение синфазноев; (/.„ „, (Ис): Напряжение между каждым из сигнальных входов микросхемы и общим выводом. амплитуды. фазы и временное распределение которых совпадают.

17 входное напряжение дифференциальное; Ц. „, (И): Напряжение между инвертирующим и неинвертирующим входами.

18 входное напряжение ограничения; Ц, ь, (И, Входное напряжение. при котором отклонение от линейности выходного напряжения превышает установленную величину.

19 входное напряжение покоя; (Л „, (Ус): Напряжение на входе микросхемы при отсутствии входного сигнала.

20 выходное напряжение; М, (Ио): Напряжение на выходе микросхемы в заданном режиме.

21 выходное напряжение низкого уровня; И, „(Ио ): —

22 выходное напряжение высокого уровня; (И... „ (Мон): —

23 напряжение низкого уровня в состоянии «Выключено»; М, ,„ (И): Напряжение низкого

уровня. подаваемов на выход микросхемы. находящейся в состоянии «Выключено». Примечание — Термин используют для схем с тремя состояниями на выходе

24 напряжение высокого уровня в состоянии «Выключено»; („и (Иогн): Напряжение высокого уровня. подаваемов на выход микросхемы. находящейся в состоянии «Выключенох.

Примечание —- Гермин ияспользуют для схем с тремя состояниями на выходе

25 выходное дифференциальное напряжение; Из, и неинвертирующим выходами.

26 выходное напряжение покоя; Ш, (Исо): Напряжение на выходе микросхемы при отсутствии входного сигнала.

27 коммутируемое напряжение; микросхемы.

28 onopHoe nanpamenne; U,, (Uz.-}: Постоянное напряжение с заданными требованиями по точности и стабильности его значения. 29 остаточное напряжение; Ш. ., (5 ;): Падение напряжения на открытом (включенном } коммутирую- щем элементе при протекании через него коммутируемого тока заданной величины.

30 напряжение шума; Ц, (И,): Напряжение на выходе микросхемы в заданной полосе частот при входном напряжении. равном нулю.

31 напряжение автоматической регулировки усиления; Иль, (Ис): Напряжение на управляющем входе микросхемы, обеспечивающее регулировку коэффициента усиления в заданных пределах.

32 напряжение задержки автоматической регулировки усиления; И „», Наибольшее абсолютное значение напряжения на управляющем входе микросхемы. при котором ве коэффициент усиления остается неизменным.

33 напряжение изоляции; М, (Иго): Напряжение, которо может быть приложено между входной и выходной изолированными цепями микросхемы, при котором сохраняется ев элоктрическая прочность. 34 напряжение пульсаций источника питания; И„„,„ (Ц. Значение переменной составляющей напряжения источника питания на выводах питания микросхемы. при котором параметры микросхемы удовлетворяют заданным требованиям.

35 падение напряжения; Ц (Ус): Разность между входным и выходным напряжением микросхемы в заданном режиме.

36 минимальное падение напряжения; (И, „(Мои Наименьшее значение падения напряжения в заданном режиме. при котором параметры микросхемы соответствуют установленным значениям.

37 нестабильность по напряжению; И, (9И,): Изменоние выходного напряжения при изменении входного напряжения.

38 нестабильность по току; МЛ (9): Изменение выходного напряжения при изменении выходного тока.



(ЦЧор): Напряжение между инвертирующим

{Ц;): Напряжение, подаваемое на коммутирующий эпомент


ГОСТР 57441—2017 Параметры тока

39 ток потребления; (с): Ток. потребляемый микросхемой от источника питания.

40 ток потребления при выходном напряжении низкого уровня; Г, , (Г Ток, потребляемый микросхемой от источника питания при выходном напряжении низкого уровня.

41 ток потребления при выходном напряжении высокого уровня; Гот, (с сн): Ток, потребляемый микросхемой от источника питания при выходном напряжении высокого уровня.

42 ток потребления в состоянии «Выключенохн; / ): Ток. потребляемый микросхемой

ПОТ. Вып {с в состоянии «Выключено» на выходе. Примечание — Термин используют для схем с тремя состояниями ма выходе.

43 динамический ток потребления; 1, awe (loco питания при переключении с заданной частотой.

44 ток потребления в режиме хранения; „› (Кс5): Ток, потребляемый микросхемой в режиме хранения информации.

45 ток стирания; 1 р Ток, протекающий в цепи вывода «Стирание» микросхемы.

46 входной ток; {., (1): Ток, протекающий во входной цепи микросхемы в заданном рожиме.

47 входной ток низкого уровня; |, „ (!,): Ток. протекающий во входной цепи микросхемы при входном напряжении низкого уровня.

48 входной ток высокого уровня: /,, (1): Ток. протекающий во входной цепи микросхемы при входном напряжении высокого уровня.

49 разность входных токов; М, , (10): Разность значений токов. протекающих через инвертирующий и неинвертирующий входы в заданном режиме.

50 входной пробивной ток; /. пов Входной ток при максимальном напряжении на входе микросхемы. не вызывающем необратимых процессов в микросхеме.

51 выходной ток; (|<): Ток, протекающий в выходной цепи микросхемы в заданном режиме.

вых 52 выходной ток низкого уровня; / Ток, протекающий в выходной цепи микросхемы при

вых. м выходном напряжении низкого уровня.

53 выходной ток высокого уровня: „ (он): Ток. протекающий в выходной цепи микросхемы при выходном напряжении высокого уровня.

54 выходной ток низкого уровня в состоянии «Выключено»; [л.н (102. Выходной ток микросхемы, выход которой находится в состоянии «Выключено». при подаче на измеряемый выход заданного

напряжения низкого уровня.

): Ток. потребляемый микросхемой от источника

Примечание — Термин используют для схем с тремя состояниями ма выходе.

55 выходной ток высокого уровня в состоянии «Выключено»; Выходной ток микросхемы. выход которой находится в состоянии «чВыключено», при подаче на измерявмый выход задан-

ного напряжения высокого уровня. п римечание — Термин используют для схем с тремя состояниями ма выходе.

56 ток короткого замыкания; /,, Выходной ток при замыкании выхода микросхемы на общий вывод (на вывод питания).

57 ток утечки; ha (1): Ток в цепи микросхемы при закрытом состоянии цепи и заданных режимах на остальных выводах.

58 ток утечки на входе; I ох (1): Ток во входной цепи микросхемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остапьных выводах. 59 ток утечки низкого уровня на входе: [, ., „(!,,}: Ток утечки во входной цепи микросхемы при входных напряжениях в диапазоне. соответствующем низкому уровню. и при заданных режимах на остальных выводах.

60 ток утечки высокого уровня на входе; [,., „ (1, н): Ток утечки во входной цепи микросхемы при входных напряжениях в диапазоне. соответствующем высокому уровню. и при заданных режимах на остальных выводах.

61 ток утечки на выходе; эык (0): TOK 8 выходной цепи микросхемы при закрытом состоянии выхода и заданных режимах на остальных выводах.

62 токутечки низкого уровня на выходе: в. „„ Ток утечки при закрытом состоянии выхода. при напряжении на выходе в диапазоне. соответствующем низкому уровню, и при заданных режимах на остальных выводах.


ГОСТР 57441—2017

63 ток утечки высокого уровня на выходе; 1, аыко (ин): ГОК утечки при закрытом состоянии выхода. при напряжении на выходе в диапазоне, соответствующем высокому уровню. и при заданных режимах на остальных выводах.

64 ток автоматической регулировки усиления; /дру (сс): Ток. протекающий через регулирующий вход микросхемы и обеспечивающий регулировку коэффициента усиления в заданных пределах.

65 режимный ток; /, (/.„): Постоянный ток, устанавливаемый внешним источником в цепи питания для обеспечения заданных параметров.

Параметры мощности

66 потребляемая мощность; в заданном режиме.

67 входная мощность; Р,„ (Р)): Мощность. потребляемая микросхемой от источника входного сигнала для обеспечения заданной мощности на нагрузке.

68 выходная мощность; Мощность. выделяемая на нагрузке в заданном режиме.

69 рассеиваемая мощность; Р,,. (Р„„,): Мощность, рассеиваемая микросхемой. работающей в заданном режиме.

70 динамическая потребляемая мощность; дни (Ресо): Мощность. потребляемая микросхемой от источника питания в режиме переключения с заданной частотой.

71 потребляемая мощность в режиме хранения; Р, (Рссз): Мощность, потребляемая микро-



пот хр схемой от источника питания в режиме хранения.

(Рес): Мощность, потребляемая микросхемой от источника питания

Параметры сопротивления

72 входное сопротивление; В,, (В): Отношение приращения входного напряжения микросхемы к приращению активной составляющей входного тока при заданной частоте сигнала.

73 выходное сопротивление; Я..., (Во): Отношение приращения выходного напряжения микросхемы кприращению активной составляющей выходного тока при заданной частоте сигнала.

74 сопротивление нагрузки; А, (Я,): Суммарное активное сопротивление внешних цепей. подклю- ченных квыходу микросхемы.

75 сопротивление в открытом состоянии; (Кон): Отношение падения напряжения между входом и соответствующим выходом микросхемы к току, протекающему через этот выход, в заданном режиме.

76 сопротивление изоляции: ®,, (®,; о): Сопротивление между входной и выходной изолированными цепями микросхемы.

Параметры емкости

77 входная емкость; С, (С): Отношение емкостной реактивной составляющей входного тока микросхемы к произведению синусоидального входного напряжения. вызвавшого этот ток, и его круговой частоты.

78 выходная емкость; С,„, (Со): Отношение емкостной реактивной составляющей выходного тока микросхемы к произведению синусоидального выходного напряжения, вызванного этим током. и его круговой частоты.

79 емкость нагрузки; С, (С,): Суммарная емкость внешних цепей. подключенных к выходу микросхемы.

80 емкость входа/выхода; С, „м, (Со): Значение емкости объединенного входа/выхода. равное отношению емкостной реактивной составляющей входного или выходного тока микросхемы к произведению круговой частоты и синусоидального входного или выходного напряжения при заданном значении частоты сигнала.

81 емкость аналогового входа; С ,„(С.;): Отношение вмкостной реактивной составляющей тока, протекающего через аналоговый вход микросхемы. к произведению синусоидального напряжения, вызвавшего этот ток. и его круговой частоты при закрытом канале (каналах).

82 емкость аналогового выхода: C,_, „„ (С,): Отношение емкостной реактивной составляющей тока, протекающего через аналоговый выход микросхемы. к произведению синусоидального напряжения. вызвавшего этот ток, и его круговой частоты при закрытом канале (каналах).

4


ГОСТР 57441—2017

83 емкость управляющего входа; С,, yap (Сс): Отношение емкостной реактивной составляющей тока. протекающего через управляющий вход микросхемы. к произведению синусоидального напряжения. вызвавшего этот ток. и его круговой частоты при закрытом канале (каналах).

84 емкость между аналоговыми выходом и BxOAOM, C. 1 (C,.): Отношение емкостной реактивной составляющей тока, протекающего между аналоговым выходом и аналоговым входом микросхемы. к произведению синусоидального напряжения. вызвавшего этот ток. и его круговой частоты при закрытом канале (каналах).

Временные параметры

85 время включения; Интервал времени между уровнем 0.5 управляющего напряжения микросхемы и заданным уровнем выходного напряжения в режиме включения.

86 время выключения; (,,,„„ (1): Интервал времени между уровнем 0.5 управляющего напряжения микросхемы и заданным уровнем выходного напряжения в режиме выключения.

87 время переключения; (,.›((,.„): Интервал времени между уровнем 0.5 управляющего напряжения микросхемы и заданным уровнем выходного напряжения в режиме переключения.

88 время задержки включения; ‚и (6, ): Интервал времени между входным и выходным импуль- сами при переходе напряжения на выходе микросхемы от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня. измеренный на уровнях 0. 1 или на заданном уровне напряжения.

89 время задержки выключения; Г.) „..„ (5,н): Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе микросхемы от напряжения низкого уровня к напряжению высокого уровня. измеренный на уровнях 0.9 или на заданном уровне напряжения.

90 время задержки распространения при включении; 1, рыл (12. }: Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе микросхемы от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровне 0.5 или на заданном уровне напряжения.

91 время задержки распространения при выключении; 1; „онл (15:н): Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе микросхемы от напряжения низкого уровня к напряжению высокого уровня, измеренный на уровне 0.5 или на заданном уровне напряжения.

92 время задержки распространения при переходе из состояния высокого уровня в состояние «Выключено»; {д р: (й>н2): Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе микросхемы от напряжения высокого уровня к напряжению в состоянии «Выклю-

чено», измеренный на заданном уровне напряжения. п римечание — Термин используют дпя схем с тремя состояниями на вы ходе.

93 время задержки распространения при переходе из состояния «Выключено» в состояние высокого уровня; 1. ру: Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе микросхемы от напряжения в состоянии «Выключенон к напряжению высокого уровня, измеренный на заданном уровне напряжения.

Примечание — Термин используют для схем с тремя состояниями на выходе.

94 время задержки распространения при переходе из состояния низкого уровня в состояние «Выключено»; 1) роз (1.2): Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе микросхемы от напряжения низкого уровня кнапряжению в состоянии «Выключено». измеренный на заданном уровне напряжения.

Примечание — Термин используют для схем с тремя состояниями на выходе.



95 время задержки распространения при переходе из состояния «Выключенох» в состояние низ- KOFO YPOBHA: fo (fo7,): MTepBaNn BPEMEHH между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе микросхемы от напряжения в состоянии «Выключено» к напряжению низкого

уровня. измеренный на заданном уровне напряжения. Примечание — Термин используют для схем с тремя состояниями ма выходе.

96 время нарастания входного сигнала; (1, „): Интервал времени нарастания амплитуды

входного сигнала микросхемы от уровня 0.1 до 0.9 от заданного значения. 97 время спада входного сигнала; ¢, (t,.): Интервал времени убывания амплитуды входного

сп. вк сигнала микросхемы от уровня 0.9 до уровня 0.1 от заданного значения.


ГОСТР 57441—2017

98 время нарастания выходного сигнала; ap. aux (1): Интервал времени нарастания амплитуды выходного сигнала микросхемы от уровня 0.1 до уровня 0,9 от заданного значения.

99 время спада выходного сигнала; (1): Интервал времени убывания амплитуды выходного сигнала микросхемы от уровня 0.9 до уровня 0,1 от заданного значения.

100 время цикла; 1, ({‹ ,): Длительность периода сигналовна одном изуправляющих входов, в течение которого микросхема выполняет одну из функций.

101 время цикла записи информации; ([,, ((<,„): Интервал времени. равный периоду сигнала на одном из входов. в течение которого микросхема осуществляет запись информации.

102 время цикла считывания информации; (,, Интервал времени. равный периоду сигнала на одном из входов. в течение которого микросхема осуществляет считывание информации.

103 время выборки; Е, (1,): Интервал времени. измеренный на заданных уровнях. между подачей сигнала на управляющий вход и получением на выходе сигнала информации при условии, что все остальные необходимые сигналы поданы.

104 время установления входных сигналов; (,., (1;,): Интервал времени между началом сигналана заданном входе и поспедующим активным переходом на другом заданном входе.

105 время удержания: (, (1,): Интервал времени. в течение которого сигнал удерживается на заданном входе после переключения сигнала на другом заданном входе.

106 время восстановления; 1,,, (#„;с): Интервал времени между окончанием заданного сигнала на выводе микросхемы и началом заданного сигнала в спедующем цикле.

107 время сохранения сигнала; (.„ (#,): Интервал времени. в течение которого выходной сигнал являвтся достоверным или в течение которого входной сигнал должен оставаться достоверным.

108 время хранения информации; &,, (1;с): Интервал времени. в течение которого микросхема в заданном режиме хранит информацию.

109 время установления выходного напряжения; и (15): Интервал времени с момента достижения выходным напряжением уровня 0.9 до момента последнего пересечения выходным напряжением заданной величины.

110 время преобразования; bios (t,): BpemeHn OT MOMeHTa 3aMaHHOrO MaMeHaNMA CHTHANA Ha входе до появления на выходе соответствующего параметра сигнала.

111 время успокоения выходного напряжения; (,. „у Интервал времени с момента достижения выходным импульсом прямоугольной формы уровня 0.5 до момента поспеднего пересечения выходным напряжением микросхемы заданной величины.

112 время регенерации; {,., ((1:;): Интервал времени между началом последовательных сигналов, предназначенных для восстановления уровня в ячейке динамической памяти до его первоначального значения.

113 длительность сигнала; т(1„): Интервал времени между заданными уровнями при нарастании и спаде импульса.

114 длительность сигнала низкого уровня; -, ({„,): Интервал времени от момента перехода сигнала из состояния высокого уровня в состояние низкого уровня до момента его перехода из состояния низкого уровня в состояние высокого уровня, измеренный на заданном уровне напряжения.

115 длительность сигнала высокого уровня; с, ((„н): Интервал времени от момента перехода сигнала из состояния низкого уровня в состояние высокого уровня до момента перехода его из состояния высокого уровня в состояние низкого уровня, измеренный на заданном уровне напряжения.

116 период следования тактовых импульсов; Т, (Т.): Интервал времени между началами или окончаниями следующих друг за другом периодических импульсов. измеренный на заданном уровне напряжения.

Коэффициенты

117 коэффициент усиления напряжения; К (А): Отношение приращения выходного напряженияк приращению входного напряжения.

118 коэффициент усиления тока; К, (А): Отношение приращения выходного тока к приращению входного тока.

119 коэффициент усиления мощности; Кр (Ар): Отношение приращения выходной мощности к приращению входной мощности.

120 коэффициент усиления синфазных входных напряжений; К, .„ (Аус): Отношение приращения выходного напряжения кприращению синфазного входного напряжения.

6


ГОСТР 57441—2017

121 коэффициент влияния нестабильности источников питания на напряжение смещения нуля; Клина (Кзул): Отношение приращения напряжения смещения нуля к вызвавшему его приращению напряжения источника питания.

122 коэффициент умножения частоты; к, частоте входного сигнала.

123 коэффициент деления частоты; (Кии): Отношение частоты входного сигнала к частоте выходного сигнала.

124 коэффициент подавления сигнала между каналами; К‚.„ (Кь„„}: Отношение переменной составляющей коммутируемого входного напряжения открытого канала к переменной составляющей выходного напряжения на пюбом другом закрытом канале.

125 коэффициент ослабления синфазных входных напряжений; К,. „з (Ксих): Отношение коэф- фициента усиления напряжения ккоэффициенту усиления синфазных входных напряжений.



126 коэффициент гармоник: К, (К,}: Отношение среднеквадратического напряжения суммы всех. кроме первой. гармоник сигнала ксреднеквадратическому напряжению суммы всех гармоник.

127 коэффициент нелинейности амплитудной характеристики; К„, „(А„.): Наибольшее отклонение значения крутизны амплитудной характеристики относительно значения крутизны амплитудной характеристики. изменяющейся по линейному закону.

128 коэффициент неравномерности амплитудно-частотной характеристики; К„„ д (А;ы): Отношение максимального значения выходного напряжения кминимальному значению в заданном диапазоне частот полосы пропускания.

129 коэффициент полезного действия; 11 Отношение выходной мощности микросхемы кпотреб-

ляемой мощности.

130 коэффициент разделения каналов: Кд (Конс): Отношение выходного напряжения активного канала микросхемы (с сигналом на входе} квыходному напряжению пассивного канала микросхемы (при отсутствии входного сигнала}.

131 коэффициент передачи; К, р Отношение приращения значения выходного напряжения к приращению значения входного напряжения.

132 коэффициент шума; К (Р.): Отношение среднеквадратического напряжения шумов на выходе к среднеквадратическому напряжению шума источника входного сигнала в заданной полосе частот.

133 коэффициент преобразования; К, 06 {С): Отношение приращения параметра выходного сигнала квызвавшему его приращению параметра входного сигнала.

134 температурный коэффициент входного тока; , (‹/): Отношение изменения входного тока к вызвавшему его изменению температуры окружающей среды (корпуса).

135 температурный коэффициент разности входных токов; (&/1о): Отношение изменения разности входных токов к вызвавшему его изменению температуры окружающей среды (корпуса).

136 температурный коэффициент напряжения смещения нуля; «И. , (оо): Отношение изменения напряжения смещения нуля к вызвавшему его изменению температуры окружающей среды (корпу- са).

137 температурный коэффициент опорного напряжения; иИ,, (“И»;;): Отношенив изменения выходного напряжения к вызвавшему ого изменению температуры окружающей среды (корпуса).

138 температурный коэффициент выходного напряжения; «И, (Шо): Отношение изменения выходного напряжения к вызвавшему ого изменению температуры окружающей среды (корпуса).

139 коэффициент стоячей волны на входе; К,, „,($И/А,)): Отношение напряженности электрического поля в максимуме кнапряженности электрического поля в минимуме стоячей волны входного сигнала. 140 коэффициент стоячей волны на выходе; К‚, „„, Отношение напряженности электрического поля в максимуме к напряженности эпектрического поля в минимуме стоячей волны выходного сигнала.

141 коэффициент сглаживания пульсаций; К, Отношение амплитудного значения пульсаций входного напряжения заданной частоты к амплитудному значению пульсаций выходного напряжения той же частоты.

(Кыруй: Отношение частоты выходного сигнала к

Параметры частоты

142 частота входного сигнала; Ё,, (1): —

143 частота выходного сигнала; 7, ,,, (5): —

144 частота генерирования; Г (f,): —

145 частота следования импульсов тактовых сигналов; Г —


ГОСТР 57441—2017

146 частота коммутации; 1, (7,): —

147 частота единичного усиления; Г, (/): Частота. на которой коэффициент усиления напряжения (при разомкнутой цепи обратной связи} равен единице.

148 частота полной мощности; Г, (7,): Частота, на которой значение максимального выходного напряжения уменьшается на 3 ДБ от значения на заданной частоте.

149 полоса пропускания; \7,, (ВИ/: Диапазон частот. в пределах которого коэффициент усиления снижается не более чем на 3 дБ по сравнению с коэффициентом усиления на заданной частоте в пределах заданного диапазона.

150 центральная частота полосы пропускания; #, Частота, равная половине суммы нижней и верхней граничных частот полосы пропускания микросхемы.

151 нижняя граничная частота полосы пропускания: Наименьшее значение частоты. накоторой коэффициент усиления напряжения уменьшается на 3 ДБ от значения на заданной частоте.

152 верхняя граничная частота полосы пропускания; f, (f,,): Наибольшее значение частоты. на которой коэффициент усиления напряжения уменьшается на 3 дБ от значения на заданной частоте. 153 частота среза; #,,, (о): Частота, на которой коэффициент усиления напряжения при разомкнутой цепи обратной связи уменьшается от значения на заданной частоте на З дБ.

154 диапазон частот; \ (АЙ: Диапазон частот, в котором значение коэффициента преобразования остается в пределах, установленных в ТУ.

Прочие параметры

155 динамический диапазон по напряжению; Отношение максимального значения напряжения к минимальному значению напряжения.

156 дрейф выходного напряжения; AU, „, (№): Наибольшее значение относительного изменения выходного напряжения в течение заданного интервала времени.

157 дрейф опорного напряжения; Waal Wace) Наибольшее значение относительного изменения опорного напряжения в течение заданного интервала времени.

158 дрейф выходного тока; Мк (Мо: Наибольшее значение относительного изменения выходного тока в течение заданного интервала времвни.

159 скорость нарастания выходного напряжения; ($8): Отношение изменения выходного напряжения от уровня 0,1 до уровня 0,9 к времени его нарастания при возденствии на вход микросхемы импульса прямоугольной формы.

160 максимальная скорость нарастания выходного напряжения; М, „,„. (5 „,„): Отношение изменения выходного напряжения от уровня 0,1 доуровня 0.9 квремениего нарастания при воздействии на вход микросхемы импульса прямоугольной формы максимального входного напряжения.

161 нормированная электродвижущая сила шума; Е, „(Е,„„): Отношение напряжения шума на выходе микросхемы в заданной полосе частот к произведению коэффициента усиления на квадратный корень из полосы частот измеряемого шума.



162 диапазон автоматической регулировки усиления; И, (АСС): Отношение максимального значения коэффициента усиления напряжения к минимальному его значению при изменении входного управляющего напряжения в заданных пределах.

163 порог чувствительности; $ ($5): Наименьшее значение входного сигнала, при котором коэффициент преобразования принимает заданное значение.

164 индукция срабатывания; В. , (В.„): Наименьшее значение индукции внешнего магнитного поля, при котором происходит переход выходного напряжения от одного устойчивого состояния к другому. 165 индукция отпускания; В. „, (В,,): Наибольшее значение индукции внешнего магнитного поля, при котором происходит переход выходного напряжения от одного устойчивого состояния к другому.

166 крутизна проходной характеристики; $, Отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению входного напряжения в заданном электрическом режиме.

167 отношение сигнал/шум; М. „„, (М,): Отношение эффективного значения выходного напряжения, содержащего низкочастотные составляющие, соответствующие частотам модулирующего напряжения, к эффективному значению выходного напряжения при немодулированном сигнале в определенной полосе частот.

168 фазовый сдвиг интегральной микросхемы; д, (с,): Разность между фазами выходного и вход-

ного сигналов микросхемы на заданной частоте. 169 фазовая ошибка; Среднеквадратическое отклонение фазы выходного напряжения от

значения фазы заданного входного сигнала.

8


ГОСТР 57441—2017

Алфавитный указатель терминов на русском языке

время включения время восстановления

время выборки

время выключения

время задержки включения

время задержки выключения

время задержки распространения при включении

время задержки распространения при выключении

время задержки распространения при переходе из состояния «Выключено» в состояние высокого уровня

время задержки распространения при переходе из состояния «Выключено» в состояние низкого уровня

время задержки распространения при переходе из состояния высокого уровня в состояние «Выключеное

время задержки распространения при переходе из состояния низкого уровня в состояние «Выключено»

время нарастания входного сигнала

время нарастания выходного сигнала

время переключения

время преобразования

время регенерации

время сохранения сигнала

время спада входного сигнала

время спада выходного сигнала

время удержания

время успокоения выходного напряжения

время установления входных сигналов

время установления выходного напряжения

время хранения информации

время цикла

время цикла записи информации

время цихла считывания информации

диапазон автоматической регулировки усиления

диапазон по напряжению динамический

диапазон частот

длительность сигнала

длительность сигнала высокого уровня

длительность сигнала низкого уровня

дрейф выходного напряжения

дрейф выходного тока

дрейф опорного напряжения

емкость аналогового входа

емкость аналогового выхода

емкость

емкость входная

емкость выходная

еыкость между зналоговыми выходом и входом

емкость нагрузки

емкость управляющего входа

индукция отпускания

индукция срабатывания

коэффициент влияния нестабильности источников питания на напряжение смещения нуля коэффициент входного тока температурный

коэффициент выходного напряжения температурный

коэффициент

коэффициент деления частоты

коэффициентнапряжения смещения нуля температурный

BS 106 103

86

88

83

90

91

93

92

94 96 98 87 110 112 107 97 99 105 111 104 109 108 100 101 102 162 155 154 $13 415 114 156 158 157 81 82 BO 77 78 84 73 83 165 164 121 134 138 126 123 136


ГОСТР 57441—2017

коэффициент нелинейности амплитудной характеристики коэффициент неравномерности амплитудно-частотной характеристики коэффициент опорного напряжения температурный коэффициент ослабления синфазных входных напряжений коэффициент передачи



коэффициент подавления сигнала между каналами коэффициент полезного действия

коэффициент преобразования

коэффициент разделения каналов

коэффициент разности входных токов температурный коэффициент сглаживания пульсаций

коэффициент стоячей волны на входе

коэффициент стоячей волны на выходе

коэффициент умножения частоты

коэффициент усиления мощности

коэффициент усиления напряжения

коэффициент усиления синфазных входных напряжений коэффициент усиления тока

коэффициент шума

крутизна проходной характеристики

мощность в режиме хранения потребляемая

мощность входная

мощность выходная

мощность потребляемая

мощность потребляемая динамическая

мощность рассеиваемая

напряжение автоматической регулировки усиления напряжение аходное

напряжение высокого уровня в состоянии «Выключено» напряжение высокого уровня входное

напряжение высокого уровня выходное

напряжение высокого уровня пороговое входное напряжение выходное

напряжение систерезиса

напряжение дифференциальное входное

напряжение дифференциальное выходное

напряжение задержки автоматической регулировки усиления напряжение изоляции

напряжение коммутируемое

напряжение низкого уровня в состоянии «Выключено» напряжение низкого уровня входное

напряжение низкого уровня выходное

напряжение низкого уровня пороговое входное напряжение ограничения входное

напряжение опорное

напряжение остаточное

напряжение отпускания

напряжение питания

напряжение питания в режиме ожидания

напряжение питания в режиме хранения

напряжение покоя входное

напряжение покоя выходное

напряжение пороговое входное

напряжение пульсаций источника питания

напряжение сигнала программирования

напряжение сигнала стирания

напряжение синфазное входное

напряженме смещения нуля

напряжение срабатывания

10

127 128 137 125 131 123 129 133 130 135 141 139 140 122 119 147 120 1:8 132 166


напряжение шума нестабильность по напряжению

нестабильность по току

отношение сигнал/шум

ошибка фазовая

падение напряжения

падение напряжения минимальное

пернод следования тактовых импульсов

полоса пропускания

порог чувствительности

разность входных токов

сдвиг интегральной микросхемы фазовый

силашума элехтродвижущая нормированная

скорость нарастания выходного напряжения

скорость нарастания выходного напряжения максимальная сопротивление а открытом состоянии

сопротивление входное

сопротивление выходное

сопротивление изоляции

сопротивление нагрузки

ток автоматической регулировки усиления

ток входной

ток вы сокого уровня в состоянии «Выключено» выходной ток высокого уровня входной

ток высокого уровня выходной

ток выходной

ток короткого замыкания

ток низкого уровня в состояним «Выключено» выходной ток низкого уровня входной

ток низкого уровня выходной

ток потребления

ток потребления в режиме храмения

ток потребления в состояним «Выключено»

ток потребления динамический

ток потребления при выходном напряжении высокого уровня ток потребления при выходном напряжении низкого уровня ток пробивной входной

ток режимный

ток стирания

ток утечки

ток утечки высокого уровня на входе

ток утечки высокого уровня на выходе

ток утечки на входе

ток утечки на выходе

ток утечки низкого уровня на заходе

ток утечки низкого уровня на выходе

частота входного сигнала

частота выходного сигнапа

частота генерирования

частота единичного усиления

частотв коммутации

частота полной мощности

частота полосы пропускания граничная верхняя



частота полосы пропускания граничная нижняя

частота полосы пропускания центральная

частота следования импульсов тактовых сигналов частота среза

ГОСТР 57441—2017

30 37 38 16? +59 35 36 416 149 163 49 168 46: 159 160 75 #2 73 76 74 64 46 55 48 53 51 56 54 4/7 52 39 44 42 $3 41 40 50 65 $5 57 50 63 58 bt 59 62 142 143 144 147 146 148 152 145} 150 145 153


ГОСТР 57441—2017

УДК 001.4.621.382.8:006.354 ОКС 01.040.01 31.200

Ключевые слова: микросхемы интегральные. параметры. термины, определения. буквенные обозначения

63 3—2017/29

Peguetse 98 8 М Прусзкова Корректор Е Д Дульнева Коыгьютеркая верстка ИЛ

Сдано в набор 05.04 2217 Подписано в печать 2% 54.2017 Формат 60. ssf Гарнитура Аризл

Усп геч п. 186 Уч. изд. л. 1.68 33 экз Зак. 638 Годготовлено ма основе эпектроннси версри, гредоставпеннон стандарта

Издано и отпечатано во ФГУП «СТАНДАРТИНФОРМ .. ‘23995 Мос;ява Гранатный пер. 4 wee goskats ru infoiigestinio ra


Похожие документы